Мы пришли сюда учиться?
Про мене
Наука
Навчання
Розклад

Книги


Статті

  1. Федяй А.В. Моделі резонансно-тунельних діодів (аналітичний огляд). Когерентні моделі / А.В. Федяй // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь» – 2007. – №4. – С. 17–29. ( завантажити )
  2. Федяй А.В. Моделі резонансно-тунельних діодів (аналітичний огляд). Кінетичні моделі / А.В. Федяй // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь». – 2007. – №5. – С. 11–16. ( завантажити )
  3. Москалюк В.А. Сравнительный анализ статических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе AlGaAs и AlGaN / В.О. Москалюк, А.В. Федяй // Н.-техн. сб. «Электроника и связь», тематический выпуск "Проблемы электроники, ч.1. – 2007.– С. 10–14. ( завантажити )
  4. Федяй А.В. Моделирование резонансно-туннельного диода методом функций Эйри / А.В. Федяй, И.С. Тисный // Н.–техн. сб. «Электроника и связь», тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии», ч.1. – 2009. – № 2-3, С. 19–21. ( завантажити )
  5. Москалюк В.О. Проблемы моделирования компонентов наноэлектроники на примере резонансно-туннельного диода / В.О. Москалюк, А.В. Федяй. // Н.-техн. ж. «Вісник ДУІКТ». – 2009. – Т. 7, №4. – С. 424–429. ( завантажити )
  6. Москалюк В.А. Метод нахождения резонансных уровней энергии при многозонном моделировании гетероструктур / В.А. Москалюк, А.В. Федяй // Техника и приборы СВЧ. – 2011. – №1. – С. 43–48. ( завантажити )
  7. Москалюк В.О. Прикладна програма для моделювання переносу заряду в квантово-розмірних гетероструктурах з графічним інтерфейсом користувача / В.О. Москалюк, А.В. Федяй, О.Ю. Ярошенко // Н.-техн. сб. "Электроника и связь". – 2011. – №1. – с. 48–53. ( завантажити )